SK Hynix หุ้นพุ่งแตะระดับสูงสุดใหม่: ส่งมอบตัวอย่าง HBM4E ยืนยันตำแหน่งผู้นำด้านหน่วยความจำ AI อีกครั้ง

อ่านบทความนี้ใน 14 นาที

การส่งมอบตัวอย่างครั้งนี้เป็นสัญญาณว่า SK Hynix ได้เร่งการพัฒนาเทคโนโลยีในด้านหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูงอีกครั้ง ซึ่งช่วยเสริมสร้างตำแหน่งหลักในห่วงโซ่อุปทานโครงสร้างพื้นฐาน AI ให้แข็งแกร่งยิ่งขึ้น

หัวข้อต้นฉบับ: 《ราคาหุ้นพุ่ง新高! SK Hynix เริ่มจัดส่งตัวอย่าง HBM4E 12 ชั้น》
ผู้เขียนต้นฉบับ: Zhao Ying, Wall Street Insight

SK Hynix ส่งมอบตัวอย่าง HBM4E ให้กับลูกค้าหลัก หน่วยความจำเรือธงแบบ 12 ชั้นนี้มีความเร็วต่อพินสูงถึง 16Gbps ประสิทธิภาพการใช้พลังงานเพิ่มขึ้นกว่า 20% ความต้านทานความร้อนลดลง 17% และความจุต่อชิปสูงถึง 48GB ข่าวนี้ทำให้ราคาหุ้นของบริษัทพุ่งขึ้น 7.3% ในระหว่างการซื้อขาย สู่ระดับสูงสุดเป็นประวัติการณ์ ตลาดคาดการณ์ว่าบริษัทจะยังคงเป็นผู้นำใน赛道หน่วยความจำ AI อย่างเต็มที่

SK Hynix ประกาศส่งมอบตัวอย่างชิปหน่วยความจำ AI รุ่นถัดไป HBM4E ให้กับลูกค้าหลัก ส่งผลให้ราคาหุ้นของบริษัทพุ่งขึ้นสู่ระดับสูงสุดเป็นประวัติการณ์

SK Hynix ระบุในเว็บไซต์เมื่อวันพฤหัสบดีว่า ผลิตภัณฑ์ HBM4E แบบ 12 ชั้นนี้มีความเร็วในการประมวลผลข้อมูลสูงสุดต่อพินถึง 16Gbps ประสิทธิภาพการใช้พลังงานเพิ่มขึ้นกว่า 20% เมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้า และลดความต้านทานความร้อนลง 17% ด้วยเทคโนโลยีการบรรจุขั้นสูง SK Hynix กล่าวว่าจะทำงานร่วมกับพันธมิตรอย่างใกล้ชิดเพื่อผลักดันให้ผลิตภัณฑ์เข้าสู่การผลิตจำนวนมากได้ทันเวลา

การจัดส่งตัวอย่างครั้งนี้เป็นสัญญาณว่า SK Hynix เร่งการพัฒนาเทคโนโลยีในด้านหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูงอีกครั้ง เสริมความแข็งแกร่งในตำแหน่งหลักของห่วงโซ่อุปทานโครงสร้างพื้นฐาน AI และยังเป็นสัญญาณล่าสุดที่บ่งชี้ว่าบริษัทยังคงนำหน้าในแผนงานเทคโนโลยี HBM

หลังจากข่าวนี้ ราคาหุ้นของ SK Hynix บนแพลตฟอร์มการซื้อขายในเกาหลีพุ่งขึ้น 7.3% ในระหว่างวัน สร้างสถิติสูงสุดใหม่ในระหว่างวัน การเพิ่มขึ้นนี้สะท้อนถึงความคาดหวังที่แข็งแกร่งของตลาดต่อการที่บริษัทยังคงเป็นผู้นำใน赛道หน่วยความจำ AI ตั้งแต่ HBM3, HBM3E ไปจนถึง HBM4 SK Hynix ได้สร้างความสามารถในการส่งมอบที่สมบูรณ์ตั้งแต่การผลิตจำนวนมากไปจนถึงการจัดหา การจัดส่งตัวอย่าง HBM4E ตามกำหนดเวลาครั้งนี้ยิ่งเสริมความเชื่อมั่นของนักลงทุนต่อความสามารถในการส่งมอบเทคโนโลยีของบริษัท

การก้าวกระโดดทั้งด้านประสิทธิภาพและประสิทธิผล

SK Hynix เปิดเผยในแถลงการณ์ว่า HBM4E แบบ 12 ชั้นมีการปรับปรุงอย่างมีนัยสำคัญทั้งในด้านประสิทธิภาพและประสิทธิภาพการใช้พลังงาน

โดยเฉพาะอย่างยิ่ง ผลิตภัณฑ์นี้มีความเร็วในการประมวลผลข้อมูลสูงสุดต่อพินถึง 16Gbps ประสิทธิภาพการใช้พลังงานเพิ่มขึ้นกว่า 20% เมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้า ในขณะเดียวกัน HBM4E ใช้การออกแบบอินเทอร์เฟซล่าสุดและการปรับแต่งเพื่อลดความหน่วงในการถ่ายโอนข้อมูลอย่างมีประสิทธิภาพ และรักษาการทำงานที่เสถียรในสภาพแวดล้อมแบนด์วิดท์สูง คุณสมบัติเหล่านี้ช่วยเพิ่มความสามารถในการประมวลผลข้อมูลในสถานการณ์การฝึกอบรมและการอนุมาน AI โดยตรง ช่วยให้ลูกค้าปรับปรุงประสิทธิภาพการดำเนินงานในศูนย์ข้อมูล AI และระบบคอมพิวเตอร์ขนาดใหญ่

เทคโนโลยีการบรรจุขั้นสูงรองรับความจุ 48GB

ในระดับกระบวนการบรรจุ SK Hynix ใช้เทคโนโลยี Advanced MR-MUF (การเติมวัสดุป้องกันด้านล่างด้วยการรีโฟลว์ขนาดใหญ่) เพื่อให้ได้ความจุ 48GB ต่อชิปเดียวในโครงสร้างแบบซ้อน 12 ชั้น พร้อมรับประกันความเสถียรของโครงสร้าง

กระบวนการ MR-MUF ปกป้องวงจรด้วยการฉีดวัสดุป้องกันของเหลวระหว่างชิป SK Hynix ได้ปรับปรุงเพิ่มเติมบนพื้นฐานนี้ ทำให้ความต้านทานความร้อนของ HBM4E ลดลง 17% เมื่อเทียบกับ HBM4 รุ่นก่อนหน้า ซึ่งช่วยให้ชิปหน่วยความจำทำงานได้อย่างเสถียรในสภาพแวดล้อมการประมวลผลประสิทธิภาพสูง ความก้าวหน้าทางเทคโนโลยีนี้มีความสำคัญอย่างยิ่งสำหรับศูนย์ข้อมูล AI ที่ทำงานหนักอย่างต่อเนื่อง

ประธานและหัวหน้าฝ่ายพัฒนาหลักของ SK Hynix คุณ Ahn Hyun กล่าวในแถลงการณ์ว่า: "SK Hynix อาศัยความสามารถทางเทคโนโลยีและความเชี่ยวชาญด้านการผลิตที่นำตลาด ด้วย HBM4E เป็นพื้นฐาน ได้วางรากฐานเพื่อเสริมสร้างความเป็นผู้นำด้าน AI ผ่านความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับพันธมิตร เราจะส่งมอบคุณค่าที่ตลาดต้องการ ขณะเดียวกันก็เสริมสร้างความเป็นผู้นำทางเทคโนโลยีในฐานะผู้สร้างหน่วยความจำ AI แบบฟูลสแต็ก"

SK Hynix เน้นย้ำว่าประสบการณ์ที่สะสมจากการผลิตและการจัดส่ง HBM3, HBM3E และ HBM4 ก่อนหน้านี้ เป็นพื้นฐานสำคัญที่ทำให้ตัวอย่าง HBM4E สามารถส่งมอบได้ตามกำหนดเวลา บริษัทระบุว่าจะอาศัยความน่าเชื่อถือของผลิตภัณฑ์และความสามารถในการจัดหาที่ผ่านการพิสูจน์จากตลาด เพื่อสนับสนุนการพัฒนาโครงสร้างพื้นฐานรุ่นถัดไป และช่วยแก้ปัญหาคอขวดด้านประสิทธิภาพของระบบ AI