ข่าว BlockBeats วันที่ 13 ตุลาคม เกี่ยวกับหุ้นชิปหน่วยความจำที่ถูกเทขาย มัสก์โพสต์ข้อความระบุว่า เมื่อจีนเชี่ยวชาญเทคโนโลยีการผลิตผลิตภัณฑ์ใด ๆ ความสามารถในการขยายขนาดการผลิตของจีนมักจะเกินผลรวมของภูมิภาคอื่น ๆ ทั่วโลก ซึ่งสถานการณ์นี้เคยเกิดขึ้นแล้วในด้านแบตเตอรี่ลิเธียมและพลังงานแสงอาทิตย์
เขากล่าวว่าอุตสาหกรรมหน่วยความจำอาจแตกต่างออกไป แต่เมื่อประมาณสามปีก่อน หน่วยความจำยังคงเป็นสินค้าโภคภัณฑ์ที่มีอัตรากำไรต่ำ LP5 และ LP6 ปฏิบัติตามมาตรฐานทั่วไป จีนดูเหมือนกำลังเร่งเอาชนะเทคโนโลยีที่เกี่ยวข้องอย่างรวดเร็ว อย่างไรก็ตาม สถาปัตยกรรม HBM รุ่นใหม่ ตลอดจนเทคโนโลยีการวางชั้น SRAM ไว้ใต้วงจรลอจิก การซ้อนหน่วยความจำแบบสามมิติด้านบน และการระบายความร้อนวงจรลอจิกไปพร้อมกัน จะเป็นสิ่งที่ยากกว่ามากในการเอาชนะ
มัสก์ยังกล่าวอีกว่า SpaceX เป็นกรณีตัวอย่างที่หาได้ยาก ซึ่งมวลรวมของน้ำหนักบรรทุกที่ส่งสู่วงโคจรนั้นสูงกว่าผลรวมของภูมิภาคอื่น ๆ ทั่วโลกประมาณหนึ่งอันดับขนาด แต่ในมวลรวมของน้ำหนักบรรทุกที่เข้าสู่วงโคจรนอกเหนือจาก SpaceX จีนได้ครองสัดส่วนส่วนใหญ่แล้ว
ก่อนหน้านี้มีรายงานว่า ChangXin Technology ประกาศความคืบหน้าสำคัญในการวิจัยและพัฒนาสถาปัตยกรรม 4F² สำหรับ DRAM รุ่นใหม่ คาดว่าจะเปิดตัวผลิตภัณฑ์หน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์ DDR5 RDIMM ที่ผสมผสานสถาปัตยกรรมนี้และเทคโนโลยีการเชื่อมแบบไฮบริดภายในสิ้นปีนี้ เมื่อเทียบกับสถาปัตยกรรม 6F² ที่เป็นกระแสหลัก 4F² ในทางทฤษฎีสามารถลดพื้นที่เซลล์ลงได้ประมาณหนึ่งในสาม เพิ่มความหนาแน่นในการจัดเก็บประมาณ 50% ภายใต้พื้นที่เวเฟอร์และโหนดกระบวนการเดียวกัน ทำให้ตลาดมีความกังวลเกี่ยวกับการแข่งขันในอนาคตและการขยายอุปทานเพิ่มมากขึ้น
ข่าวนี้นำเสนอร่วมกับ : เทรดคริปโต หุ้นสหรัฐ และสินทรัพย์ทั่วโลกได้ในที่เดียว
