BlockBeats รายงานว่า วันที่ 6 มิถุนายน ราคาหุ้นกลุ่มหน่วยความจำทั่วโลกปรับตัวลงพร้อมกัน หลังจากได้รับผลกระทบจากรายงานของ SemiAnalysis เกี่ยวกับการปรับเปลี่ยนการกำหนดค่าหน่วยความจำของเซิร์ฟเวอร์ NVIDIA รุ่นถัดไป Vera Rubin NVL72 เมื่อวันที่ 5 มิถุนายน หุ้น SK Hynix ร่วงลง 9.92% ดัชนีหน่วยความจำของตลาดหุ้นจีน A ลดลงประมาณ 4% โดยหุ้น Biwin Storage, Longsys, Montage Technology และ GigaDevice เป็นกลุ่มที่ปรับตัวลงมากที่สุด ขณะที่วันซื้อขายก่อนหน้านี้ Micron Technology ปิดตลาดลดลง 7.74%
รายงานระบุว่า NVIDIA มีแผนลดความจุหน่วยความจำระบบ SOCAMM ที่มาพร้อมกับ CPU Vera จาก 192GB เหลือ 96GB คาดว่าต้นทุนต่อแร็คจะลดลงจาก 7.6 ล้านดอลลาร์สหรัฐ เหลือ 6.8 ล้านดอลลาร์สหรัฐ ประหยัดได้ประมาณ 10% ตลาดกังวลว่าความต้องการหน่วยความจำสำหรับเซิร์ฟเวอร์ AI อาจลดลง
อย่างไรก็ตาม หลายสถาบันชี้ให้เห็นในภายหลังว่าการปรับเปลี่ยนครั้งนี้เกี่ยวข้องกับโมดูลหน่วยความจำ SOCAMM แบบถอดได้เฉพาะฝั่ง CPU เท่านั้น ซึ่งเป็นการปรับแต่งการกำหนดค่าแบบยืดหยุ่นตามระยะ ไม่ใช่การลดระดับฮาร์ดแวร์ถาวร และความต้องการหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง HBM ที่เกี่ยวข้องกับพลังการประมวลผลหลักของ GPU ไม่ได้รับผลกระทบ
ก่อนหน้านี้ Morgan Stanley เคยคาดการณ์ว่าราคาแร็คของ NVIDIA รุ่นใหม่ Vera Rubin (VR200) อยู่ที่ประมาณ 7.8 ล้านดอลลาร์สหรัฐ โดยต้นทุนวัสดุที่เกี่ยวข้องกับหน่วยความจำเพิ่มขึ้นมากกว่า 435% เมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้า ผู้เชี่ยวชาญในอุตสาหกรรมยังระบุว่าคอขวดของฮาร์ดแวร์ AI กำลังเปลี่ยนจากพลังการประมวลผลไปสู่หน่วยความจำและการเชื่อมต่อระหว่างกัน
ตั้งแต่ต้นปีนี้ กลุ่มหน่วยความจำทั่วโลกปรับตัวแข็งแกร่งขึ้นอย่างต่อเนื่อง ตลาดค่อยๆ เปลี่ยนตรรกะการประเมินมูลค่าของอุตสาหกรรมหน่วยความจำจากหุ้นวัฏจักรดั้งเดิมไปเป็น "สินทรัพย์โครงสร้างพื้นฐาน AI" อย่างไรก็ตาม เมื่อการประเมินมูลค่าสูงขึ้นอย่างรวดเร็วและความแออัดของการซื้อขายเพิ่มขึ้น ข่าวใดๆ ที่เกี่ยวข้องกับการเปลี่ยนแปลงความต้องการหน่วยความจำอาจทำให้เกิดความผันผวนของตลาด
แม้จะมีการปรับตัวลงในระยะสั้น แต่บริษัทในห่วงโซ่อุตสาหกรรมหลายแห่งยังคงมองว่าภาวะอุตสาหกรรมจะยังคงแข็งแกร่ง Biwin Storage ระบุว่าช่องว่างระหว่างอุปสงค์และอุปทานที่เกิดจากความต้องการพลังการประมวลผล AI นั้นยากที่จะบรรเทาลงในระยะสั้น และราคาผลิตภัณฑ์ยังคงมีพื้นที่ในการปรับตัวสูงขึ้น ผู้ผลิตบางรายคาดว่าสถานการณ์อุปทานไม่เพียงพออาจดำเนินต่อไปจนถึงปี 2027 ข้อมูลจาก CFM Flash Memory Market แสดงให้เห็นว่าในไตรมาสแรกของปี 2026 ขนาดตลาด DRAM และ NAND Flash ทั่วโลกสูงถึง 137.14 พันล้านดอลลาร์สหรัฐ สร้างสถิติสูงสุดใหม่รายไตรมาส
