เจฟฟรีย์: การปรับขึ้นราคาหน่วยความจำอาจเกินความคาดหมาย ผู้ให้บริการคลาวด์ AI เร่งกักตุนสินค้าทำให้อุปทานตึงตัวมากขึ้น

BlockBeats ข่าวสาร วันที่ 22 มิถุนายน เจฟฟรีย์ส์ระบุว่าราคาชิปหน่วยความจำทั่วโลกอาจปรับตัวสูงขึ้นอย่างมีนัยสำคัญเกินกว่าที่ตลาดคาดการณ์ เนื่องจากผู้ให้บริการคลาวด์เร่งจองกำลังการผลิตล่วงหน้า ความต้องการเซิร์ฟเวอร์ AI ขยายตัวอย่างต่อเนื่อง ขณะที่ผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ยังคงขาดความตั้งใจที่จะขยายกำลังการผลิตอย่างมาก

ในรายงานอุตสาหกรรมเทคโนโลยีทั่วโลกที่เผยแพร่เมื่อวันที่ 21 มิถุนายน เจฟฟรีย์ส์อ้างอิงความคิดเห็นของผู้เชี่ยวชาญในอุตสาหกรรมหน่วยความจำว่า ราคาหน่วยความจำในไตรมาสที่สามของปี 2026 อาจปรับตัวขึ้น 40% ถึง 50% เมื่อเทียบเป็นรายไตรมาส และเพิ่มขึ้นอีก 30% ถึง 40% ในไตรมาสที่สี่ การคาดการณ์นี้สูงกว่าที่นักลงทุนในยุโรปและอเมริกาคาดไว้ก่อนหน้านี้ที่ 15% ถึง 20% อย่างชัดเจน และยังสูงกว่าข้อมูลล่าสุดจากห่วงโซ่อุปทานในเอเชียบางส่วน

รายงานระบุว่า หากไม่นับรวมผู้ผลิตจีน อุปทาน bit supply ของหน่วยความจำทั่วโลกในปี 2026 คาดว่าจะเติบโตเพียง 7% ถึง 8% ซึ่งส่วนใหญ่มาจากการเปลี่ยนผ่านกระบวนการผลิต ไม่ใช่การเพิ่มกำลังการผลิตเวเฟอร์ใหม่ ช่องว่างอุปทานรวมของ DRAM และ NAND อาจสูงถึง 150,000 ถึง 200,000 เวเฟอร์ต่อเดือน เนื่องจากในปี 2027 ก็ยังขาดการเติบโตของกำลังการผลิตเวเฟอร์อย่างชัดเจน สถานการณ์อุปทานตึงตัวจึงอาจยืดเยื้อต่อไป

ความต้องการ AI เป็นแรงขับเคลื่อนหลักของวัฏจักรหน่วยความจำรอบนี้ รายงานชี้ให้เห็นว่า ผู้ให้บริการคลาวด์ได้ลงนามในสัญญาจัดหาสินค้าระยะยาวสองปีกับผู้ผลิตหน่วยความจำ และชำระเงินล่วงหน้าประมาณ 40% สัญญาระยะยาวเหล่านี้ปัจจุบันใช้กำลังการผลิตของอุตสาหกรรมประมาณ 50% และอาจเพิ่มขึ้นเป็น 70% ในอนาคต ในทางตรงกันข้าม ผู้ผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภคพบว่าเป็นการยากที่จะได้รับสัญญาที่คล้ายคลึงกัน และอาจเผชิญกับแรงกดดันด้านต้นทุนและอุปทานที่มากขึ้นในช่วงปี 2026 ถึง 2027

HBM ยังคงอยู่ในภาวะขาดแคลน เจฟฟรีย์ส์อ้างอิงการประมาณการของผู้เชี่ยวชาญว่า กำลังการผลิต HBM ของอุตสาหกรรมอยู่ที่ประมาณ 330,000 เวเฟอร์ต่อเดือน และอาจเพิ่มขึ้นเป็น 480,000 เวเฟอร์ในปี 2027 กำลังการผลิตที่เพิ่มขึ้นจะจำกัดขอบเขตการปรับขึ้นราคา HBM ใน 12 เดือนข้างหน้า แต่การปรับขึ้นอาจยังคงอยู่ที่ประมาณ 70%

รายงานยังเห็นว่า ผู้ผลิตหน่วยความจำจีนจะไม่เป็นภัยคุกคามต่อวัฏจักรขาขึ้นนี้ในระยะสั้น ChangXin Memory Technologies ยังคงล้าหลังผู้ผลิตชั้นนำของโลกในเทคโนโลยี DRAM ประมาณ 1.5 ถึง 2 รุ่น และหากขาดความสามารถในการใช้ EUV ก็ยากที่จะอัปเกรดเป็น DDR6 หรือ HBM3E ในระยะสั้น การขยายกำลังการผลิตของผู้ผลิตจีนในช่วงปี 2026 ถึง 2027 จะส่งผลกระทบต่อตลาดระดับล่างเป็นหลัก อย่างไรก็ตาม รายงานยังชี้ให้เห็นว่า เทคโนโลยี NAND ของจีนอาจมีความสามารถในการแข่งขันระดับโลกที่แข็งแกร่งขึ้นภายในปี 2028

เจฟฟรีย์ส์เตือนว่า ปี 2028 อาจเป็นจุดเสี่ยงของวัฏจักร หากกำลังการผลิตเวเฟอร์ทั่วโลกเติบโต 15% ถึง 20% ในขณะนั้น พร้อมกับความต้องการ AI ที่ชะลอตัว ราคาหน่วยความจำอาจปรับตัวลดลงอย่างมาก แต่ในช่วงปี 2026 ถึง 2027 อุตสาหกรรมหน่วยความจำอาจยังคงรักษาอำนาจการตั้งราคาที่แข็งแกร่ง โดยเฉพาะอย่างยิ่งในบริบทที่ผู้ให้บริการคลาวด์จองสินค้าและอุปทานสำหรับผู้บริโภคถูกบีบอัด