BlockBeats รายงานเมื่อวันที่ 14 กรกฎาคม ตามรายงานของ ZDNET สื่อเกาหลี SK Hynix ได้เริ่มจัดซื้ออุปกรณ์สำหรับห้องคลีนรูมระยะแรกของโรงงานผลิตเวเฟอร์ Y1 ซึ่งเป็นแห่งแรกในคลัสเตอร์เซมิคอนดักเตอร์ยงอิน โดยในเบื้องต้นมีแผนเพิ่มกำลังการผลิต DRAM 1c จำนวน 20,000 แผ่นต่อเดือน
เดิมที Y1 มีแผนเปิดใช้งานห้องคลีนรูมระยะแรกในเดือนพฤษภาคม 2027 แต่ได้เลื่อนมาเป็นเดือนกุมภาพันธ์ 2027 บริษัทวางแผนจะเริ่มก่อสร้างสายการผลิตทดลองในเวลานั้น และติดตั้งอุปกรณ์อย่างเป็นทางการในช่วงเดือนมีนาคมถึงเมษายน เพื่อขยายกำลังการผลิตเป็น 20,000 แผ่นต่อเดือน
สายการผลิตนี้เน้นผลิต DRAM 1c ขนาด 10 นาโนเมตรรุ่นที่ 6 ซึ่งสามารถใช้ในผลิตภัณฑ์ DDR และ LPDDR ที่มีมูลค่าเพิ่มสูงที่เกี่ยวข้องกับ AI และมีแผนนำไปใช้ใน HBM4E ที่จะเริ่มจำหน่ายในเชิงพาณิชย์ภายในปี 2027 เพื่อเร่งการนำเข้าอุปกรณ์ SK Hynix ยังได้เลื่อนการเจรจาสัญญาราคาอุปกรณ์ซึ่งปกติจะดำเนินการในช่วงปลายปี มาสู่ช่วงต้นไตรมาสที่สาม
SK Hynix กำลังเร่งความคืบหน้าโดยรวมของการก่อสร้างคลัสเตอร์เซมิคอนดักเตอร์ยงอิน โครงการนี้มีมูลค่าการลงทุนรวมประมาณ 600 ล้านล้านวอน ประกอบด้วยโรงงานผลิตเวเฟอร์ 4 แห่ง โดยเป้าหมายการก่อสร้างโรงงานแห่งที่ 4 เสร็จสมบูรณ์ได้เลื่อนจากปี 2045 มาสู่ปี 2033 ส่วนห้องคลีนรูมระยะที่สองและสามของ Y1 คาดว่าจะเริ่มก่อสร้างในช่วงครึ่งปีหลัง
