ข่าว BlockBeats วันที่ 11 สิงหาคม ตามรายงานของสื่อเกาหลีใต้ 《每日经济新闻》 เปิดเผยว่า Solidigm บริษัทลูกด้าน NAND ของ SK Hynix มีแผนจะกลับมาเริ่มก่อสร้างโรงงานผลิต NAND แฟลชเมมโมรี่ระยะที่สองที่ต้าเหลียน ประเทศจีนอีกครั้ง โดยคาดว่าจะเริ่มขนย้ายอุปกรณ์เข้ามาในเดือนพฤศจิกายนปีนี้ และเริ่มผลิตอย่างเป็นทางการในช่วงครึ่งปีแรกของปีหน้า
โครงการระยะที่สองที่ต้าเหลียนก่อนหน้านี้หยุดชะงักมานาน เนื่องจากตลาด NAND ตกต่ำ การปรับสต็อกสินค้า และข้อจำกัดด้านอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ของสหรัฐฯ ต่อจีน ด้วยการขยายตัวของศูนย์ข้อมูล AI ที่ผลักดันความต้องการ SSD ระดับองค์กร (eSSD) ให้เติบโต SK Hynix จึงตัดสินใจกลับมาลงทุนเพื่อขยายกำลังการผลิต NAND
โรงงานระยะที่หนึ่งที่ต้าเหลียนปัจจุบันมีกำลังการผลิตประมาณ 100,000 แผ่นเวเฟอร์ต่อเดือน หลังจากโครงการระยะที่สองเสร็จสมบูรณ์ คาดว่าจะเพิ่มกำลังการผลิตใหม่ประมาณ 50,000 แผ่นต่อเดือน ทำให้กำลังการผลิตรวมเพิ่มขึ้นประมาณ 50% SK Hynix วางแผนใช้กลยุทธ์ "การผลิตแบบสองราง" โดยผลิต NAND ด้วยกระบวนการผลิตที่成熟ที่ฐานต้าเหลียน ขณะเดียวกันจะรวมผลิตภัณฑ์ NAND ระดับไฮเอนด์ไว้ที่โรงงาน M17 ในเมืองชองจู ประเทศเกาหลีใต้
